11 月 8 日消息，据 Tom's hardware 报道，特斯拉近日披露了其调整后的 AI 加速器路线图，较为清晰地展示了该公司未来 AI 芯片研发的走向。
这家由埃隆·马斯克领导的公司预计，其第六代推理加速器将带来比现有第四代芯片高出 80 倍的计算性能；而第三代 Dojo 训练加速器（D3）将放弃以 SRAM 为中心的架构，转向采用堆叠 HBM 的多芯粒（chiplet）设计。
按照特斯拉过往对其 AI 芯片的命名规则，最近几代芯片应为"AI4、AI5、AI6"。但在最新演示中，它们被更名为 SI4、SI5、SI6。
在 AI 芯片路线图中另一个有趣的细节是，特斯拉披露了第六代推理加速器（SI6）的大致计算性能：计算性能比目前用于其汽车的第四代推理处理器（最初叫 HW4，后更名为 AI4，再更名为 SI4）提升 80 倍，内存比 SI4 提升 9 倍。
但这取决于 SI4 性能的衡量方式，这意味着 17,280 至 46,080 TOPS（每秒万亿次运算），即 17.28 至 46.08 POPS（每秒千万亿次运算），不过我们尚不清楚 SI6 支持的数据格式。当然，这些只是估算，仅供参考。
作为参照，英伟达 Rubin GPU 提供 50 NVFP4 PFLOPS 的推理性能、35 NVFP4 PFLOPS 的训练性能，以及 17.5 FP8/FP6 PFLOPS。与此同时，Rubin 目前已在向客户出货，而 SI6 要到 2029 至 2030 年才推出。
特斯拉 SI4 由三星代工采用 7nm 级工艺制造，采用传统倒装芯片球栅阵列（FCBGA）封装（注意：据称的特斯拉幻灯片存在一处错误，称该单元采用 5nm 级节点制造），并推测配备 16GB GDDR6 内存。
特斯拉将该处理器描述为其全自动驾驶（FSD）技术当前的基准，这使其成为衡量未来各代性能的基线。
与此同时，特斯拉并未官方披露该芯片的绝对计算性能数字、内存容量或功耗，这使得比较变得困难。
马斯克曾表示 HW4 比 HW3 强大 3 至 8 倍，而 HW3 的官方额定值为 72 TOPS，据此 HW4 约为 216 至 576 TOPS 的专用集成电路（注意这些均为估算）。
此外，幻灯片再次确认，即将推出的第五代推理加速器 SI5（又称 HW5、AI5）将分别由台积电和三星代工采用 3nm 级和 2nm 级工艺制造，并将采用多芯片模块（MCM）设计，这与 SI4 所用的传统封装方式不同。
特斯拉预计 SI5 将比 SI4 带来 40 倍的性能提升。据马斯克称，这来自计算能力 8 倍的提升（由更密集的工艺技术和更多执行单元驱动）以及硅片优化带来的 5 倍增益，据此约为8,640 至 23,040 TOPS（估算数字），具体取决于如何计算 SI4 的性能。
与此同时，SI5 预计功耗在 250W 至 800W 之间，视应用而定，因此在现阶段做性能估算并非易事。此外，SI5 的内存将比前代多 6 倍（即 96GB）。带宽取决于所用内存类型（GDDR6 或 GDDR7），SI5 的内存带宽可在 768GB/s至1,536GB/s之间。
再看特斯拉第六代推理加速器（SI6），其计算性能将进一步提升至 SI4 的 80 倍，内存为当前代处理器的 8 倍。这可能意味着 17.28 至 46.08 POPS（每秒千万亿次运算），取决于如何计算 SI4 性能，以及 144GB 内存——对于 AI 加速器而言，这是相当可观的性能和内存容量。
特斯拉已与三星代工签署协议，由其在 2033 年前制造第六代推理加速器，而新幻灯片显示该单元将采用 2nm 级工艺制造。
鉴于该芯片预计 2029 至 2030 年推出，以及三星近期更新的代工路线图，我们谈论的可能是有汽车级 SF2A、性能增强型 SF2P，甚至带背面供电的 SF2Z。与此同时，SI6 引人注目的一点是，特斯拉并不设想该芯片在 2030 年代于 Terafab 采用英特尔 14A 制程生产。
SI6 将保留 AI5/SI5/HW5 引入的多芯片模块（MCM）方案，这似乎合理，因为它能够利用第五代推理加速器积累的经验，并保持相对合理的封装成本。
许多汽车制造商正在考虑为其下一代系统级封装（SiP）采用多芯粒设计和 HBM 内存，这将推高其成本。特斯拉何时在推理加速器上采用 HBM 仍有待观察，但很可能不会在 SI6 上。
