AI把内存价格打上去,三星Q2营业利润暴增18倍

  7 月 7 日消息,据彭博社和路透社报道,三星电子今日发布二季度业绩预告,预计 4 月至 6 月营业利润为 89.4 万亿韩元(约合 584 亿美元),同比增长约 18 倍,明显高于市场预期。

  三星已连续第三个季度刷新营业利润纪录。路透社援引 LSEG SmartEstimate 称,市场此前预计三星二季度营业利润为 87.3 万亿韩元;彭博社汇总的分析师平均预期为 84.2 万亿韩元。三星预计二季度收入为 171 万亿韩元,同样高于预期。公司将在 7 月 30 日公布完整财报,届时才会披露净利润和各业务部门明细。

  不只是 HBM,整个存储都在涨价

  这份业绩预告的核心驱动,是 AI 数据中心对内存芯片的需求继续超过供给。

  三星是全球最大的存储芯片厂商,受益的不只是高带宽内存 HBM,也包括传统 DRAM 和 NAND。AI 加速器需要大量 HBM,芯片厂商因此把产能和研发优先投向高端内存;但这种转向反过来挤压了传统存储芯片供给,智能手机、PC、企业服务器等设备使用的 DRAM 和 NAND 也随之涨价。

  涨幅相当剧烈。彭博社援引 HSBC 数据称,二季度 DRAM 平均售价环比上涨超过 40%,NAND 价格环比上涨超过 50%;路透社援引花旗研究的数据称,DRAM 和 NAND 均价分别环比上涨 44% 和 53%。

  对三星这种拥有大规模存储产能的公司来说,HBM 是增量,常规内存涨价则是底盘。路透社还提到,越来越多客户开始寻求更长期的供货协议,这会进一步强化市场对内存价格维持高位的预期。

  股价涨了 165%,但仍落后于 SK 海力士

  这份业绩也会被投资者用来判断 AI 基建投资还能撑多久。今年以来,全球半导体股票一度冲上历史高位,但近期因竞争加剧、潜在产能过剩,以及数千亿美元 AI 投资能否回本等问题出现波动。

  三星股价今年已上涨约 165%,但仍落后于更专注高端 AI 内存的 SK 海力士,后者同期涨幅约 260%。

  两家公司也被放在韩国 AI 产业战略的中心位置。彭博社称,三星和 SK 海力士计划在韩国西南部各建两座芯片工厂,总投资约 800 万亿韩元,目标是五年内把内存产能翻倍。三星此前还宣布,2026 年将在产能扩张和研发上投入超过 700 亿美元。

  存储强劲,但不等于全面好转

  不过,这份预告还不能直接等同于三星所有业务全面好转。

  路透社提到,分析师预计三星存储业务会继续强劲,但晶圆代工和逻辑芯片业务的亏损可能扩大,部分原因是芯片部门的奖金费用会在半导体部门内部分摊。三星今年 5 月与芯片部门员工达成薪酬协议,将绩效奖金与营业利润挂钩。

  7 月 30 日看什么

  接下来更关键的是完整财报。届时需要看三件事:三星 HBM 业务与 SK 海力士的差距是否收窄,传统 DRAM 和 NAND 涨价是否继续传导到利润率,以及晶圆代工和逻辑芯片亏损有没有抵消存储业务的景气度。(易句)

  (本文由 AI 翻译,网易编辑负责校对)