三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公布了未来的技术路线图，显示将会在 2025 年开始大规模量产 2nm 工艺，更为先进的 1.4nm 工艺将首次引入 High-NA EUV 光刻技术，预计会在 2027 年量产。不过三星在去年调整了规划，表示 1.4nm 工艺的量产工作将延后至 2029 年，将重点放在 2nm 工艺的优化上，提升性能和能耗表现，并提高良品率，原因是晶圆代工部门在当时状态下无法控制运营损失。
据 TrendForce 报道，随着英特尔与台积电（TSMC）在 2028 年至 2029 年左右实现 1.4nm 工艺的大规模生产，三星打算重新加入竞争，推进 1.4nm 工艺的开发工作，只不过量产时间方面会稍微落后于竞争对手。
有消息称，三星最近向国内外的合作伙伴发出请求，早日开发相关工艺设备。有消息人士透露，三星已经在 NRD-K 工厂安装了 ASML 的下一代 High-NA 光刻设备，将从 1.4nm 工艺开始，应用于特定工艺层。
三星重新推进 1.4nm 工艺项目引发了外界的关注，被认为是缩小与台积电等竞争对手的举动。台积电计划最早 2027 年 3 月试产 1.4nm 工艺，2028 年下半年实现大规模生产。英特尔的 Intel 18A-P 工艺已经进入试点生产阶段，Intel 14 预计 2028 年实现风险生产，并于 2029 年量产。
考虑到新一代 AI 芯片对于半导体工艺有着更高的要求，如果三星的 1.4nm 工艺在量产方面落后太多，那么很可能会失去市场机会。即便开发和生产资源根据实际需求进行调整，三星也不希望太拖沓。
