头部存储厂商开启了市值比拼。
三星电子（005930.KS）市值突破 1 万亿美元后，美股 5 月 26 日收盘，美光科技（MU.O）大涨 19.29%，创下股价新高，市值站上 1 万亿美元。5 月 27 日盘中，SK 海力士（000660.KS）股价也一度上涨 11%，市值突破 1 万亿美元大关。至此，最大的三家 DRAM（动态随机存取内存）存储原厂市值都在万亿美元量级。
从收盘价看，美光是第二家市值站上万亿美元的 DRAM 存储原厂。从今年初到 5 月 26 日，美光股价累计上涨了 2.14 倍，若从 2025 年初开始算起，美光股价累计上涨 9.68 倍。
资本市场对三大存储原厂的关注与 AI 带动的需求增长相关，特别是与 AI 相关性最强的 HBM（高带宽内存，一种 DRAM），主要就来自这三家原厂。其中，SK 海力士 HBM 市场份额最大，但美光追赶速度颇快。
三家原厂中，美光对 HBM 的投入也较多。据 TrendForce 集邦咨询统计，去年 SK 海力士占据 HBM 市场的一半以上，三星、SK 海力士、美光 HBM 占公司内存产能的比例则分别为 23%、18% 和 26%，美光 HBM 在内存中的比例偏高。为了实现追赶，此前美光曾跨过 HBM3 一代，直接投入 HBM3e，并进入英伟达供应链。
机构预测今年美光仍有望抢得更多 HBM 市场。据 TrendForce 集邦咨询数据，去年 SK 海力士、美光和三星 HBM 生产位元占比分别为 59%、20%、20%，今年 SK 海力士的占比预计缩小至 50%，美光增加至 28%。HBM 市场规模预计同步扩大，预计今年将突破 300 亿 Gb。
不过，随着 HBM4 进入商业化周期，行业竞争也变得更激烈。有业界人士向记者分析，美光此前追上了 HBM3e 应用的时间点，并与 SK 海力士一同成为 HBM 市场最大需求方英伟达去年的主要供应商，三星去年则侧重 AMD 等其他客户。
但今年三星已在迎头赶上。随着英伟达产品迭代，三家 HBM4 供应商今年同时导入英伟达供应链。今年 3 月的英伟达 GTC 大会上，美光宣布为英伟达 Vera Rubin 设计的 HBM4 36GB 12-high 产品开始批量出货。三星也宣布，为 Vera Rubin 设计的第六代 HBM4 进入量产周期。
对美光而言，眼下最重要的工作包括推动 HBM4 生产顺利爬坡。在 3 月的财报电话会上，美光高管表示，随着 HBM4 的生产爬坡和批量出货的进行，预计 HBM4 达到成熟良率的速度将快于 HBM3e。去年第三季度，该公司达到为 HBM 设定的目标，即 HBM 份额与 DRAM 整体份额持平，今年将同时供应 HBM3e 和 HBM4。
不过，从 DRAM 整体收入来看，美光与另外两家原厂相比仍有差距。据市场研究机构闪存市场数据，按照去年第四季度 DRAM 原厂营收统计，三星市占率最高，占比 37.1%，SK 海力士和美光市占率分别为 33.1% 和 20.8%。该季度 NAND 闪存营收排名中，三星和 SK 海力士位居前二，美光则位列第五，市占率 11.6%，与其他两家差距明显。
从业绩变化看，在截至今年 2 月 26 日的季度中，美光营收同比增长 196% 至 238.6 亿美元，GAAP 净利润同比增长数倍至 137.9 亿美元。该公司预计，2026 年行业 DRAM 位元出货量将增长 20% 以上，NAND 闪存位元出货量同比增长约 20%，公司 2026 年的 DRAM 和 NAND 供应量增长幅度与行业大致持平。
市值站上了 1 亿美元的美光，当前也与其他存储原厂一同面临行业缺货、供应紧张的机遇和挑战，并同步建设产能。业界普遍预计，按照原厂建设进度，到 2027 年存储产品仍将维持供应紧张的状况。
