据多家媒体报道，台积电今年已低调在 2nm 级 N2 工艺上开启大规模量产。台积电官网在 2 nm 技术专题页面低调写明：「台积电 2nm（N2）技术已于今年第四季度开始量产」，与此前多次对外给出的 Q4 量产时间表一致。
台积电董事长暨总裁魏哲家在今年 10 月财报电话会上也曾强调，N2 工艺良率表现良好，预计将在明年迎来更快的产能爬坡，主要由智能手机和高性能计算（HPC）尤其是 AI 应用需求驱动。
在技术规格上，N2 是台积电首个采用全环栅极（GAA）纳米片晶体管的制程节点。
据台积电公布的数据，相比 N3E，N2 混合设计下（约 50% 逻辑、30% SRAM、20% 模拟电路）在相同功耗下性能提升约 10%–15%，在相同性能下功耗降低约 25%–30%，晶体管密度提升约 15%；若是纯逻辑设计，密度提升可达 20%。
在此基础上，台积电规划了 N2 家族的后续节点：
- 性能增强版 N2P 计划在明年下半年量产，预计在 N2 基础上再带来约 5%–10% 的性能提升和 5%–10% 的功耗降低；
- 进一步的 N2X 则预计在 2027 年量产，相比 N2P 继续提升约 10% 性能并降低功耗；
- 面向更复杂 AI 与高性能计算机处理器的 A16 工艺也被安排在明年下半年进入量产，将在 N2P 基础上引入 Super Power Rail（SPR）背面供电技术，强化高密度供电网络能力。
多家报道提到，台积电 N2 产能将在明年快速爬坡，以承接包括英伟达、AMD、苹果、高通、联发科等在内的头部芯片设计公司的旗舰产品，覆盖智能手机 SoC、大型 AI 加速卡以及数据中心处理器等多个品类。
三星电子也在加速追赶。SamMobile 援引韩国媒体《文化日报》报道称，三星位于美国德州泰勒市的晶圆厂原计划先投产 4nm，之后再导入 2nm 制程。
但如今，三星已将规划「一键升级」为全 2 nm 节点，并将预期月产能从原先的 2 万片 2nm 晶圆，大幅提升至约 5 万片，这一数字被认为大致相当于台积电 2 nm 量产初期的月产水平。
三星还与包括特斯拉在内的多家全球大客户签订了 2 nm 代工协议，计划在 2026 年第二季度开始量产。
