来源：环球网
10 月 16 日消息，据 KED Global 报道，三星电子宣布一项重大投资计划，将投入约 1.1 万亿韩元引进两台最新的 High-NA 双级极紫外（EUV）光刻机，此举标志着该企业在下一代半导体芯片量产领域迈出关键一步。
据业内人士披露，三星电子此前仅在京畿道园区部署过一台 High-NA EUV 设备，且主要用于研发环节。此次引进的两台设备则聚焦“产品量产”，是该企业首次将此类先进设备应用于量产场景。按照规划，三星电子将于今年内完成第一台设备的引进工作，明年上半年再引进第二台，逐步完善量产设备布局。
此次三星计划引进的设备为 Twin Scan EXE:5200B，该设备属于 0.55 数值孔径（NA）的 High-NA 极紫外光刻系统，是 TWINSCAN EXE:5000 的升级版本。在技术性能上，它不仅进一步提升了对准精度，还大幅提高生产效率，被行业公认为生产下一代半导体芯片与高性能 DRAM 的核心必备设备。
与此前的 NXE 系统相比，Twin Scan EXE:5200B 优势显著。其成像对比度提升 40%，分辨率可达 8 纳米，能让芯片制造商通过单次曝光实现比 TWINSCAN NXE 系统精细 1.7 倍的电路刻蚀。这一技术突破可将晶体管密度提升至原来的 2.9 倍，在降低大规模生产工艺复杂性的同时，有效提高客户晶圆厂的晶圆产量，为半导体产业技术升级提供有力支撑。（纯钧）
