2023 年末，ASML 向英特尔交付了首台 High-NA EUV 光刻机，型号为 TWINSCAN EXE:5000，随后台积电和三星都引入了相同型号的光刻系统。业界普遍认为，High-NA EUV 光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用。
SK 海力士宣布，已将存储器业界首款量产型 High-NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻机引进韩国利川 M16 工厂，并举行了设备入厂庆祝仪式。多位 ASML 和 SK 海力士出席了当日举行的设备入厂仪式，庆祝引进下一代 DRAM 生产设备。
为了提升产品性能和生产效率，微细制程技术的优化显得尤为重要。电路图案制作越精密，每块晶圆上可生产的芯片数量就越多，同时也能有效提高能效与性能。2021 年 SK 海力士在第四代 10nm 级（1a）DRAM 中首次引入 EUV 光刻技术，将 EUV 应用扩展至先进 DRAM 制造领域。为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求，SK 海力士决定引进超越现有 EUV 的下一代技术设备。
这次的 High-NA EUV 光刻机，型号为 TWINSCAN EXE:5200B，属于首款量产型 High-NA EUV 设备。与现有的 EUV 设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了 40%，这一改进使其能够制作出精密度高达 1.7 倍的电路图案，并将集成度提升 2.9 倍。
通过引进 High-NA EUV 设备，SK 海力士将简化现有的 EUV 工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。此举有望巩固自身在高附加值存储器市场中的地位，并进一步夯实技术领导力。
